Gestalte mit uns die Zukunft der nächsten Generation von NR+ Mikrochips. Wir suchen erfahrene RF-IC-Designer, die unser RF- und Analog-/Mixed-Signal-Team verstärken und uns dabei helfen, modernste Systeme und darüber hinaus auf Basis der FD-SOI-Technologie zu entwickeln. Wenn du technologisch führende Schaltungen entwerfen und an einer neuen Klasse drahtloser Kommunikation mitwirken willst, bist du bei uns richtig.
Du entwickelst HF-integrierte Schaltungen für drahtlose Kommunikationssysteme in Deep-Submicron-CMOS-Technologie.
Durchführung von Top-Level-Simulationen zur Validierung und Optimierung von Designkonzepten.
Enge Zusammenarbeit mit dem Layout-Team sowie Durchführung von High-Level-Simulationen zur Verifizierung und Verfeinerung der Designs.
Ableitung von Block-Level-Spezifikationen für analoge und digitale Komponenten.
Durchführung von Pre-Tapeout-Verifizierungen inklusive Leistungs-, Energie-, Zuverlässigkeits- und Timing-Analysen.
Du definierst Produktions- und Labortestpläne zur Charakterisierung nach der Siliziumfertigung.
Unterstützung des Laborteams bei der Durchführung von HF-Messungen zur IP-Validierung.
Du analysierst ATE- und Labortestergebnisse, identifizierst Ertragsprobleme und leitest geeignete Korrekturmaßnahmen ein.
Enge Zusammenarbeit mit dem Systemteam bei Integration, Fehlerbehebung und Designoptimierung.
Du präsentierst Deine Ergebnisse in Design-Reviews und weist die Einhaltung der Spezifikationen nach.
Mehrjährige Berufserfahrung im Bereich RF beziehungsweise Analog IC Design in der Industrie.
Erfahrung mit modernen CMOS Prozesstechnologien, idealerweise mit 22FDX.
Erfahrung über den gesamten RFIC Produktentwicklungszyklus hinweg, von der Konzeptphase bis zur Serienfertigung.
Fundierte Kenntnisse und Tape-out-Erfahrung mit mindestens einem der folgenden Funktionsblöcke:
PA, LNA, Mischer, Oszillatoren, PLL, LO, VGA.
Sehr gute Kenntnisse analoger Designkonzepte wie Rauschanalyse, Linearität, Mismatch und Stabilität.
Erfahrung in der RF Bauelementmodellierung, mit Rauschparametern, Induktivitätsmodellierung, Gehäuseeinflüssen, Versorgungsentkopplung, RF ESD Strukturen sowie RF optimiertem Layout.
Vertrautheit mit verschiedenen RF Transceiver Architekturen und Kalibrierverfahren.
Sicherer Umgang mit Cadence Virtuoso, Spectre RF, EMX oder vergleichbaren Tools.
Praktische Erfahrung in der Siliziumcharakterisierung, im Debugging sowie in der Übersetzung von Systemspezifikationen in konkrete Schaltungsanforderungen.